Харвестер відкритої науки НАН України

Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers

за авторством Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Effect of acetone vapor treatment on photoluminescence of porous nc-Si–SiOx nanostructures

за авторством Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Min’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures

за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Dan’ko, V.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films

за авторством Sopinskyy, M.V., Indutnyi, I.Z., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E., Tkach, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix

за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Photostimulated etching of germanium chalcogenide films

за авторством Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Вплив обробки у парах HF на структуру та люмінесцентні властивості поруватих Si/SiОx нанокомпозитів

за авторством Dan’ko, V.A., Zlobin, S.O., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Litovchenko, L.G., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано 2025

Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment

за авторством Dan’ko, V.A., Bratus, V.Ya., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Zlobin, S.O., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Наноструктурованi Au чiпи з пiдвищеною чутливiстю для сенсорiв на основi поверхневого плазмонного резонансу...

за авторством Indutnyi, I. Z., Ushenin, Yu. V., Myn’ko, V. I., Shepeliavyi, P. E., Lukaniuk, M. V., Korchovyi, A. A., Khrystosenko, R. V.
Опубліковано 2018

Вплив пасткових станiв на кiнетику люмiнесценцiї та наведеного поглинання свiтла наночастинками Si в SiO2 матрицi при збудженнi фемтосекундними лазерними iмпульсами...

за авторством Kadan, V. M., Indutnyi, I. Z., Dan’ko, V. A., Shepelyavyi, P. E., Dmitruk, I. M., Korenyuk, P. I., Blonsky, I. V.
Опубліковано 2018

Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist

за авторством Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)

Вплив форми латерально-впорядкованих наноструктур на ефективність поверхнево-підсиленого раманівського розсіювання...

за авторством Indutnyi, I.Z., Yukhymchuk, V.O., Mynko, V.I., Mamykin, S.V., Mazur, N.V., Isaieva, O.F., Dzhagan, V.M., Danko, V.A., Yefanov, V.S., Korchovyy, A.A., Lytvyn, P.M.
Опубліковано 2024