Результати пошуку - Indutnyi, I.Z.
- Показ 1 - 14 результатів із 14
-
1
Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers за авторством Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.E., Indutnyi, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
-
4
-
5
Polarization memory of photoluminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix за авторством Michailovska, K.V., Indutnyi, I.Z., Kudryavtsev, O.O., Sopinskyy, M.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
6
The effect of surface plasmon-polaritons on the photostimulated diffusion in light-sensitive Ag–As₄Ge₃₀S₆₆ structures за авторством Indutnyi, I.Z., Mynko, V.I., Sopinskyy, M.V., Dan’ko, V.A., Lytvyn, P.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
7
Photostimulated etching of germanium chalcogenide films за авторством Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukyanyuk, M.V., Litvin, O.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
8
Controlling the photoluminescence spectra of porous nc-Si–SiOx structures by vapor treatment за авторством Dan’ko, V.A., Bratus, V.Ya., Indutnyi, I.Z., Lisovskyy, I.P., Zlobin, S.O., Michailovska, K.V., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
9
Control of plasmons excitation by P- and S-polarized light in gold nanowire gratings by azimuthal angle variation за авторством Dan'ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn'ko, V.I., Mamykin, S.V., Shepeliavyi, P.Ye., Lukaniuk, M.V., Lytvyn, P.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2019)Отримати повний текст
Стаття -
10
Enhancing sensitivity of SPR sensors using nanostructured Au chips coated with functional plasma polymer nanofilms за авторством Indutnyi, I.Z., Ushenin, Yu.V., Hegemann, D., Vandenbossche, M., Myn’ko, V.I., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Lytvyn, P.M., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
11
Formation of laterally ordered arrays of noble metal nanocavities for SERS substrates by using interference photolithography за авторством Dan’ko, V.A., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Lytvyn, P.M., Lukaniuk, M.V., Bandarenka, H.V., Dolgyi, A.L., Redko, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
12
Features of mechanical scanning probe lithography on graphene oxide and As(Ge)Se chalcogenide resist за авторством Lytvyn, P.M., Malyuta, S.V., Indutnyi, I.Z., Efremov, A.A., Slobodyan, O.V., Min’ko, V.I., Nazarov, A.N., Borysov, O.V., Prokopenko, I.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
13
Nanopatterning Au chips for SPR refractometer by using interference lithography and chalcogenide photoresist за авторством Dan’ko, V.A., Dorozinsky, G.V., Indutnyi, I.Z., Myn’ko, V.I., Ushenin, Yu.V., Shepeliavyi, P.E., Lukaniuk, M.V., Korchovyi, A.A., Khrystosenko, R.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
14
Efficient SERS substrates based on laterally ordered gold nanostructures made using interference lithography за авторством Hreshchuk, O.M., Yukhymchuk, V.O., Dzhagan, V.M., Danko, V.A., Min'ko, V.I., Indutnyi, I.Z., Shepeliavyi, P.Ye., Lytvyn, P.M., Sheregii, E., Prokhorenko, S., Polit, J., Zak, D., Płoch, D., Valakh, M.Ya.
Опубліковано 2019Отримати повний текст
Стаття