Search Results - Ivashchuk, A. V.
- Showing 1 - 3 results of 3
-
1
-
2
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях by Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.
Published 2003Get full text
Article -
3
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников by Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.
Published 2003Get full text
Article
Search Tools:
Related Subjects
GaAs
AlGaN/GaN heterostructures
HEMT
device reliability
high-power microwave transistors
medium power
microwave field-effect transistors
millimeter range
noise figure
relaxation parameters
relaxation time
strong electric fields
СВЧ полевые транзисторы
время релаксации
гетероструктуры AlGaN/GaN
коэффициент шума
миллиметровый диапазон
мощные СВЧ‑транзисторы
надежность приборов
релаксационные параметры
сильные электрические поля
средняя мощность