Suchergebnisse - Ivashchuk, A. V.
- Treffer 1 - 3 von 3
-
1
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн von Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.
Veröffentlicht 2003Volltext
Artikel -
2
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях von Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.
Veröffentlicht 2003Volltext
Artikel -
3
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников von Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.
Veröffentlicht 2003Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
GaAs
AlGaN/GaN heterostructures
HEMT
device reliability
high-power microwave transistors
medium power
microwave field-effect transistors
millimeter range
noise figure
relaxation parameters
relaxation time
strong electric fields
СВЧ полевые транзисторы
время релаксации
гетероструктуры AlGaN/GaN
коэффициент шума
миллиметровый диапазон
мощные СВЧ‑транзисторы
надежность приборов
релаксационные параметры
сильные электрические поля
средняя мощность