Результати пошуку - Ivashchuk, A. V.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
СВЧ полевые транзисторы средней мощности миллиметрового диапазона длин волн за авторством Ivashchuk, A. V., Bosy, V. I., Kovalchuk, V. N.
Опубліковано 2003Отримати повний текст
Стаття -
2
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях за авторством Moskalyuk, V. A., Timofeev, V. I., Ivashchuk, A. V.
Опубліковано 2003Отримати повний текст
Стаття -
3
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников за авторством Bosyi, V. I., Ivashchuk, A. V., Kovalchuk, V. N., Semashko, E. M.
Опубліковано 2003Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
GaAs
AlGaN/GaN heterostructures
HEMT
device reliability
high-power microwave transistors
medium power
microwave field-effect transistors
millimeter range
noise figure
relaxation parameters
relaxation time
strong electric fields
СВЧ полевые транзисторы
время релаксации
гетероструктуры AlGaN/GaN
коэффициент шума
миллиметровый диапазон
мощные СВЧ‑транзисторы
надежность приборов
релаксационные параметры
сильные электрические поля
средняя мощность