Suchergebnisse - Izhnin, I.I.

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    Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si von Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.

    Veröffentlicht 2005
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    Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe von Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.

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    Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ... von Izhnin, I. I., Vakiv, N. M., Izhnin, А. I., Syvorotka, I. M., Ubizskii, S. B., Syvorotka, I. M.

    Veröffentlicht 2005
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