Search Results - Izhnin, I.I.
- Showing 1 - 3 results of 3
-
1
-
2
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe by Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.
Published in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Get full text
Article -
3
Search Tools:
Related Subjects
GaAs
Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structure
carrier concentration
dopant activation
ion implantation
microchip laser
passive Q-switching
photon annealing
saturable absorber
активность примеси
ионная имплантация
концентрация носителей
микрочиповый лазер
насыщаемый поглотитель
пассивная модуляция добротности
фотонный отжиг
эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ