Результати пошуку - Izhnin, I.I.
- Показ 1 - 3 результатів із 3
-
1
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si за авторством Bonchyk, A. Yu., Izhnin, I. I., Kyjak, S. G., Savytsky, G. V.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
2
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe за авторством Izhnin, I.I., Bogoboyashchyy, V.V., Kurbanov, K.R., Mynbaev, K.D., Ryabikov, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
3
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
GaAs
Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG epitaxial structure
carrier concentration
dopant activation
ion implantation
microchip laser
passive Q-switching
photon annealing
saturable absorber
активность примеси
ионная имплантация
концентрация носителей
микрочиповый лазер
насыщаемый поглотитель
пассивная модуляция добротности
фотонный отжиг
эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ