Результати пошуку - Kalabukhova, E.N.
- Показ 1 - 4 результатів із 4
-
1
-
2
Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments за авторством Savchenko, D.V., Kalabukhova, E.N., Shanina, B.D., Bagraev, N.T., Klyachkin, L.E., Malyarenko, A.M., Khromov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
3
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC за авторством Kiselov, V.S., Kalabukhova, E.N., Sitnikov, A.A., Lytvyn, P.M., Poludin, V.I., Yukhymchuk, V.O., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
4
Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties за авторством Kiselov, V.S., Kalabukhova, E.N., Sitnikov, A.A., Litvin, P.M., Poludin, V.I., Yukhymchyk, V.A., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології (2009)Отримати повний текст
Стаття