Харвестер відкритої науки НАН України

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals

за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide

за авторством Katerynchuk, V.M., Kudrynskyi, Z.R.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe

за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.
Опубліковано 2010

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides

за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)

Photoemission spectra of indium selenide

за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, M.Z., Tovarnitskii, M.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis

за авторством Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe

за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Опубліковано 2015