Результати пошуку автора :: Harvester open publications of NAS Ukraine

1

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)

Отримати повний текст

Стаття

2

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide за авторством Katerynchuk, V.M., Kudrynskyi, Z.R.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Отримати повний текст

Стаття

3

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Опубліковано 2004

Отримати повний текст

Стаття

4

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ за авторством Katerynchuk, V. M., Kovalyuk, M. Z., Lytvyn, O. S.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

5

Photoemission spectra of indium selenide за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, M.Z., Tovarnitskii, M.V.

Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Отримати повний текст

Стаття

6

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.

Опубліковано в: Functional Materials (2017)

Отримати повний текст

Стаття

7

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.

Опубліковано 2005

Отримати повний текст

Стаття

8

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Опубліковано 2010

Отримати повний текст

Стаття

9

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Опубліковано 2007

Отримати повний текст

Стаття

10

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis за авторством Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.

Опубліковано в: Functional Materials (2017)

Отримати повний текст

Стаття

11

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.

Опубліковано 2015

Отримати повний текст

Стаття

Результати пошуку - Katerynchuk, V. M.

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D.

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide за авторством Katerynchuk, V.M., Kudrynskyi, Z.R.

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ за авторством Katerynchuk, V. M., Kovalyuk, M. Z., Lytvyn, O. S.

Photoemission spectra of indium selenide за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, M.Z., Tovarnitskii, M.V.

Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры &quot;окисел–InSe–окисел&quot; за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe за авторством Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis за авторством Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.

Інструменти для пошуку:

Пов'язані теми

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.