Suchergebnisse - Katerynchuk, V.M.
- Treffer 1 - 9 von 9
-
1
-
2
-
3
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ von Katerynchuk, V. M., Kovalyuk, M. Z., Lytvyn, O. S.
Veröffentlicht 2007Volltext
Artikel -
4
Photoemission spectra of indium selenide von Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, M.Z., Tovarnitskii, M.V.
Veröffentlicht in Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Volltext
Artikel -
5
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides von Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.
Veröffentlicht in Functional Materials (2017)Volltext
Artikel -
6
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe von Katerynchuk, V. M., Kovaluk, Z. D., Khomiak, V. V.
Veröffentlicht 2010Volltext
Artikel -
7
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена von Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.
Veröffentlicht 2007Volltext
Artikel -
8
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis von Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.
Veröffentlicht in Functional Materials (2017)Volltext
Artikel -
9
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe von Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Veröffentlicht 2015Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
Characterization and properties
InSe
heterojunction
гетеропереход
CVC
FeIn₂Se₄
SnS₂
ZnO
atomic-force microscopy
indium selenide
nanoformations
native oxide
photoelectric parameters
spectral photosensitivity
surface resistance
surface topology
thermal oxidation
thin film
ВАХ
атомно-силовая микроскопия
нанообразования
оксид цинка
поверхностная топология
поверхностное сопротивление
селенид индия
собственный оксид
спектральная фоточувствительность
термическое окисление
тонкая пленка
фотоэлектрические параметры