Treffer
1 - 2
von
2
Weiter zum Inhalt
Login
Sprache
English
Deutsch
Українська
Харвестер відкритої науки НАН України
Alle Felder
Titel
Zeitschriftentitel
Verfasser
Schlagwort
Beschreibung
Tag
Full text
Suchen
Erweitert
Verfasser
Khocholava, D.Z.
Suchergebnisse - Khocholava, D.Z.
Treffer
1 - 2
von
2
Treffer weiter einschränken
Sortieren
Relevanz
Nach Datum, absteigend
Nach Datum, aufsteigend
Signatur
Verfasser
Titel
E-Mail
Export
Drucken
bulk_save_button
select_all_on_page
Bitte wählen Sie die Treffernummer 1
1
Дослідження рекомбінаційних і електричних властивостей кристалів p-Si, опромінених електронами
von
Pagava, T.A.
,
Khocholava, D.Z.
,
Maisuradze, N.I.
,
Chkhartishvili, L.S.
Veröffentlicht 2012
Volltext
Artikel
standalone_record_link
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
Bitte wählen Sie die Treffernummer 2
2
Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si...
von
Pagava, T. A.
,
Chkhartishvili, L. S.
,
Maisuradze, N. I.
,
Beridze, M. G.
,
Khocholava, D. Z.
Veröffentlicht 2019
Volltext
Artikel
standalone_record_link
Zu den Favoriten
Gespeichert in:
E-Mail
Export
Drucken
bulk_save_button
select_all_on_page
Suchwerkzeuge:
RSS-Feed abonnieren
Diese Suche als E-Mail versenden
Ähnliche Schlagworte
-
n-silicon
photo-Hall effect
proton irradiation
кремний n-типа
метод фото-Холл-эффекта
облучение протонами