Влияние ИК подсветки на рассеяние электронов проводимости в облученных протонами с энергией 25 МэВ кристаллах n-Si
The photo-Hall effect is studied in specimens of n-Si single crystals with the electron concentration N = 6 × 1013 cm−3 irradiated with 25-MeV protons at a temperature of 300 K. The irradiated specimens revealed an anomalously high value of the electron Hall mobility, which can be explained by the f...
Збережено в:
Дата: | 2019 |
---|---|
Автори: | , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English Ukrainian |
Опубліковано: |
Publishing house "Academperiodika"
2019
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019222 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Ukrainian Journal of Physics |