Результати пошуку - Korsunska, N. O.
- Показ 1 - 11 результатів із 11
-
1
Influence of cation vacancy related defects on the self-assembly processes in CdSe/ZnSe quantum dot heterostructures за авторством Borkovska, L.V., Korsunska, N.O., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G., Sheinkman, M.K.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
2
Metastable interstitials in CdSe and CdS crystals за авторством Borkovska, L.V., Bulakh, B.M., Khomenkova, L.Yu., Korsunska, N.O., Markevich, I.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
3
Оптичні та електричні властивості Tb–ZnO/SiO2 в ІЧ-області спектра за авторством Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, Ye. F.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
4
-
5
Кореляція між фотолюмінесцентними та фотоелектричними властивостями ZnO, легованого Mn за авторством Korsunska, N. O., Markevich, I. V., Stara, T. R., Borkovska, L. V., Lavoric, S., Melnichuk, L. Yu., Melnichuk, O. V.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
6
Фонон-поляритонні збудження в структурах MgZnO/6H-SiC за авторством Melnichuk, O. V., Melnichuk, L. Yu., Korsunska, N. O., Khomenkova, L. Yu., Venger, E. F., Venger, I. V.
Опубліковано 2020
Отримати повний текст
Стаття -
7
Effect of thermal annealing on the luminescent characteristics of CdSe/ZnSe quantum dot heterostructure за авторством Borkovska, L.V., Stara, T.R., Korsunska, N.O., Pechers’ka, К.Yu., Germash, L.P., Bondarenko, V.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
8
Deep-level defects in CdSe/ZnSe QDs and giant anti-Stokes photoluminescence за авторством Valakh, M.Ya., Sadofyev, Yu.G., Korsunska, N.O., Semenova, G.N., Strelchuk, V.V., Borkovska, L.V., Vuychik, M.V., Sharibaev, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
9
-
10
Defects and radiation-enhanced defect reactions in ZnSe/(001)GaAs MBE layers за авторством Semenova, G.N., Venger, E.F., Korsunska, N.O., Klad’ko, V.P., Borkovska, L.V., Semtsiv, M.P., Sharibaev, M.B., Kushnirenko, V.I., Sadofyev, Yu.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
11
Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics за авторством Melnichuk, O.V., Korsunska, N.O., Markevich, I.V., Boyko, V.V., Polishchuk, Yu.O., Tsybrii, Z.F., Melnichuk, L.Yu., Venger, Ye.F., Kladko, V.P., Khomenkova, L.Yu.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
-
zinc oxide
оксид цинку
фотопровiднiсть
IR reflection
IR spectroscopy
IЧ-вiдбивання
IЧ-спектроскопiя
MgxZn1−xO
Mn2
Optics
Semiconductor physics
SiO2
ZnO
dielectric substrate
electron concentration
magnesium oxide
phonon
photoconductivity
photoluminescence
plasmon
silicon carbide
surface polaritons
thin film
УДК 621.315. 537.37
дiелектрична пiдкладка
дефекти
дрейф мiжвузлового цинку Zni
карбiд кремнiю
концентрацiя електронiв