Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм за авторством Tetyorkin, V., Tsybrii, Z., Slipokurov, V., Yevmenova, A., Andrieieva, K., Kosulya, O.

Отримати повний текст

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію за авторством Shmid, V., Podolian, A., Nadtochiy, A., Korotchenkov, O., Romanyuk, B., Melnik, V., Popov, V., Kosulya, O.

Отримати повний текст