Результати пошуку - Kovalyuk, Z.D.
- Показ 1 - 20 результатів із 24
- На наступну сторінку
-
1
-
2
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка за авторством Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
Опубліковано 2012Отримати повний текст
Стаття -
3
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions за авторством Kovalyuk, Z.D., Makhniy, V.P., Yanchuk, O.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
4
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Duplavyy, V.Y., Sydor, O.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
5
Fine structure of NQR spectra in GaSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Lastivka, G.I., Khandozhko, О.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
6
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact за авторством Kovalyuk, Z.D., Sydor, O.M., Netyaga, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
7
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)Отримати повний текст
Стаття -
8
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Khandozhko, A.G., Lastivka, G.I., Samila, A.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
9
Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques за авторством Brus, V.V., Kovalyuk, Z.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
10
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen за авторством Kaminskii, V.I., Kovalyuk, Z.D., Netyaga, V.V., Boledzyuk, V.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
11
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals за авторством Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)Отримати повний текст
Стаття -
12
Morphology of Van der Waals surfaces and magnetic hysteresis in cobalt intercalated InTe за авторством Boledzyuk, V.B., Kovalyuk, Z.D., Kudrynskyi, Z.R., Shevchenko, A.D.
Опубліковано в: Functional Materials (2015)Отримати повний текст
Стаття -
13
-
14
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe за авторством Tkachuk, I.G., Orletsky, I.G., Kovalyuk, Z.D., Marianchuk, P.D.
Опубліковано в: Functional Materials (2018)Отримати повний текст
Стаття -
15
-
16
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe за авторством Kovalyuk, Z. D., Konoplyanko, D. Yu., Netyaga, V. V., Bakhtinov, A. P.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
17
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
18
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
19
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals за авторством Zhirko, Yu.I., Zharkov, I.P., Kovalyuk, Z.D., Pyrlja, M.M., Boledzyuk, V.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
20
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis за авторством Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Characterization and properties
ferroelectric
heterojunction
indium selenide
intercalation
layered crystals
гетеропереход
селенид индия
слоистые кристаллы
A3B6 semiconductor
CVC
FeIn₂Se₄
III-VI semiconductor
InS-film
InSe
ZnO
annealing
capacitor
current sources
current-generating reaction
current-voltage characteristics
discharge
heterojunctions
heterostructure
high-energy electrons
impedance spectra
nanocomposite
p-n-InSe
photocapacitor
photodiode