Результати пошуку - Kovalyuk, Z.D.
- Показ 1 - 20 результатів із 34
- На наступну сторінку
-
1
-
2
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения... за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M.
Опубліковано 2004Отримати повний текст
Стаття -
3
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка за авторством Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
Опубліковано 2012Отримати повний текст
Стаття -
4
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions за авторством Kovalyuk, Z.D., Makhniy, V.P., Yanchuk, O.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
5
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Duplavyy, V.Y., Sydor, O.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
6
Fine structure of NQR spectra in GaSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Lastivka, G.I., Khandozhko, О.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
7
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact за авторством Kovalyuk, Z.D., Sydor, O.M., Netyaga, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
8
Excitonic photoconductivity of heterostructures based on gallium and indium selenides за авторством Katerynchuk, V.M., Kovalyuk, Z.D., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)Отримати повний текст
Стаття -
9
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Sydor, O. N.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття -
10
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом за авторством Boledzyuk, V. B., Kovalyuk, Z. D., Pyrlya, M. M., Barbutsa, S. G.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
11
The electric field gradient asymmetry parameter in InSe за авторством Kovalyuk, Z.D., Khandozhko, A.G., Lastivka, G.I., Samila, A.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
12
Comparison of optical properties of TiO₂ thin films prepared by reactive magnetron sputtering and electron-beam evaporation techniques за авторством Brus, V.V., Kovalyuk, Z.D., Parfenyuk, O.A., Vakhnyak, N.D.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
13
-
14
Electrical properties of fast cooled inse single crystals за авторством Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)Отримати повний текст
Стаття -
15
Electrical properties of fast cooled InSe single crystals за авторством Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2008)Отримати повний текст
Стаття -
16
Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals за авторством Kaminskii, V.M., Kovalyuk, Z.D., Zaslonkin, A.V., Ivanov, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття -
17
Morphology of Van der Waals surfaces and magnetic hysteresis in cobalt intercalated InTe за авторством Boledzyuk, V.B., Kovalyuk, Z.D., Kudrynskyi, Z.R., Shevchenko, A.D.
Опубліковано в: Functional Materials (2015)Отримати повний текст
Стаття -
18
-
19
Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe за авторством Tkachuk, I.G., Orletsky, I.G., Kovalyuk, Z.D., Marianchuk, P.D.
Опубліковано в: Functional Materials (2018)Отримати повний текст
Стаття -
20
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerinchuk, V. N., Politanskaya, O. A., Sidor, O. N.
Опубліковано 2005Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Characterization and properties
InSe
heterojunction
intercalation
гетеропереход
-
GaSe
ferroelectric
indium selenide
layered crystals
p-n-InSe
photodiode
ІnSe
селенид индия
слоистые кристаллы
фотодиод
A3B6 semiconductor
CVC
FeIn₂Se₄
III-VI semiconductor
InS-film
InSe and GaSe single crystals
ZnO
annealing
capacitor
current sources
current-generating reaction
current-voltage characteristics
discharge
gamma irradiation