Результати пошуку - Kuznetsov, G. V.
- Показ 1 - 7 результатів із 7
-
1
Електрофiзичнi та люмiнесцентнi властивостi систем сульфiд кадмiю–пористий кремнiй за авторством Davidenko, N. A., Kuznetsov, G. V., Milovanov, Yu. S.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
2
The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film за авторством Belousov, I.V., Grib, A.N., Kuznetsov, G.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)Отримати повний текст
Стаття -
3
Газочувствительные структуры "силицид кобальта – пористый кремний – кремний" за авторством Belousov, I. V., Buzaneva, E. V., Kuznetsov, G. V.
Опубліковано 2006Отримати повний текст
Стаття -
4
Impedance spectroscopy of composites based on porous silicon and silica aerogel for sensor applications за авторством Karlash, A.Yu., Kuznetsov, G.V., Milovanov, Yu.S., Skryshevsky, V.A.
Опубліковано в: Functional Materials (2013)Отримати повний текст
Стаття -
5
Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур за авторством Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
6
-
7
Особливості протікання струму в гетероструктурах оксид титану–кремній за авторством Milovanov, Yu.S., Gavrilchenko, I.V., Gayvoronsky, V.Ya., Kuznetsov, G.V., Skryshevsky, V.A.
Опубліковано 2012
Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
porous silicon
-
CdS nanoparticles
Characterization and properties
deep levels
gas sensor
impurity and defect centers
multilayer structure
relaxation spectrometer
silicide phase
газовый датчик
глубокие уровни
многослойная структура
наночастинки CdS
пористий кремнiй
пористый кремний
примесные и дефектные центры
релаксационный спектрометр
силицидная фаза