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Харвестер відкритої науки НАН України
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Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von
Bonchyk, A. Yu.
,
Izhnin, I. I.
,
Kyjak, S. G.
,
Savytsky, G. V.
Veröffentlicht 2005
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