Результати пошуку - Machulin, V.F.
- Показ 1 - 8 результатів із 8
-
1
Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates за авторством Lysiuk, I.O., Machulin, V.F., Olikh, Ja.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
2
-
3
Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals за авторством Machulin, V.F., Motsnyi, F.V., Peresh, E.Yu., Smolanka, O.M., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Физика низких температур (2004)Отримати повний текст
Стаття -
4
Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals за авторством Klad'ko, V. P., Grigoriev, D.O., Datsenko, L.I., Machulin, V.F., Prokopenko, I.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
5
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
6
Investigation of superlattice structure parameters using quasi-forbidden reflections за авторством Kladko, V.P., Datsenko, L.I., Korchovyi, A.A., Machulin, V.F., Lytvyn, P.M., Shalimov, A.V., Kuchuk, A.V., Kogutyuk, P.P.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
7
Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals за авторством Budzulyak, S.I., Ermakov, V.M., Kyjak, B.R., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F., Novoselets, M.K., Panasjuk, L.I., Sus', B.B., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
8
Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing за авторством Datsenko, L.I., Auleytner, J., Misiuk, A., Klad'ko, V.P., Machulin, V.F., Bak-Misiuk, J., Zymierska, D., Antonova, I.V., Melnyk, V.M., Popov, V.P., Czosnyka, T., Choinski, J.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття