Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии за авторством Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.

Отримати повний текст