Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures за авторством Dugaev, V.K., Mironov, O.A., Kosyachenko, S.V.

Отримати повний текст

Germanium quantum well with two subbands occupied: kinetic properties за авторством Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Komnik, Y.F., Mironov, O.A.

Отримати повний текст

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures за авторством Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Komnik, Yu.F., Myronov, M., Mironov, O.A.

Отримати повний текст

The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied за авторством Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Kolesnichenko, Yu.A., Komnik, Yu.F., Mironov, O.A.

Отримати повний текст

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe... за авторством Беркутов, И.Б., Комник, Ю.Ф., Андриевский, В.В., Mironov, O.A., Myronov, M., Leadley, D.R.

Отримати повний текст

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination за авторством Berkutov, I.B., Andrievskii, V.V., Komnik, Yu.F., Kolesnichenko, Yu.A., Morris, R.J.H., Leadley, D.R., Mironov, O.A.

Отримати повний текст