Харвестер відкритої науки НАН України

The influence of defects and conductivity on the domain structure properties and the memory effect in the ferroelectrics-semiconductors Sn₂P₂Se₆

за авторством Vysochanskii, Yu.M., Molnar, A.A., Khoma, M.M., Motrja, S.F.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (1999)

The effect of size factor on the phase transition in Sn₂P₂S₆ crystals: experimental data and simulation in ANNNI model

за авторством Drobnich, A.V., Molnar, A.A., Gomonnai, A.V., Vysochanskii, Yu.M., Prits, I.P.
Опубліковано в: Condensed Matter Physics (2003)

Valence fluctuations in Sn(Pb)₂P₂S₆ ferroelectrics

за авторством Yevych, R., Haborets, V., Medulych, M., Molnar, A., Kohutych, A., Dziaugys, A., Banys, Ju., Vysochanskii, Yu.
Опубліковано в: Физика низких температур (2016)