Харвестер відкритої науки НАН України

Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers

за авторством Moskvin, P.P., Khodakovsky, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-b...

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovetskiy, L.V., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Influence of elastic strains on LPE growth kinetics in the Cd-Hg-Te System

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovetsky, L.V., Khodakovsky, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Мультифрактальний аналiз вiдбиткiв крапель розпиленого дизельного палива рiзного хiмiчного складу

за авторством Kolodnytska, R. V., Kryzhanivskyy, V. B., Moskvin, P. P.
Опубліковано 2019

Polyassociative thermodynamic model of A²B⁶ semiconductor meltand phase equilibria in Cd-Hg-Te system. 4. p-T-x diagram of Cd-Hg-Te system

за авторством Moskvin, P.P., Khodakovsky, V.V., Rashkovets’kyi, L.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Вплив термодинамiчних властивостей розпилюваної рiдини на параметри крапельно-повiтряних сумiшей в рамках моделi максимуму ентропiї...

за авторством Kolodnytska, R. V., Moskvin, P. P., Skurativskyi, S. I., Syroid, Ye. S.
Опубліковано 2018

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 2. Phase equilibria in initial two-component systems. Cd-Te system

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovets'kyi, L.V., Kavertsev, S.V., Zhovnir, G.I., Ruden'kyi, A.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Polyassociative thermodynamical model of A₂B₆ semiconductor melt and P-T-X equilibria in Cd-Hg-Te system: 1. Phase equilibria in initial two-component systems. Hg-Te system

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovets'kyi, L.V., Kavertsev, S.V., Zhovnir, G.I., Ruden'kyi, A.O.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)

Особливості досліджень поверхні плівок ZnO–SiO2 методом мультифрактального аналізу

за авторством Balytska, N.O., Moskvin, P.P., Skyba, G.V., Rashkovetskyi, L.V., Kryzhanivskyy, V.B., Polonskyi, L.G.
Опубліковано 2024