Suchergebnisse - Netyaga, V. V.
- Treffer 1 - 8 von 8
-
1
-
2
-
3
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe von Kovalyuk, Z. D., Konoplyanko, D. Yu., Netyaga, V. V., Bakhtinov, A. P.
Veröffentlicht 2010Volltext
Artikel -
4
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы von Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Veröffentlicht 2009Volltext
Artikel -
5
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена von Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.
Veröffentlicht 2007Volltext
Artikel -
6
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis von Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.
Veröffentlicht in Functional Materials (2017)Volltext
Artikel -
7
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. von Netyaga, V. V., Vodop’yanov, V. N., Ivanov, V. I., Tkachyuk, I. G., Kovalyuk, Z. D.
Veröffentlicht 2018Volltext
Artikel -
8
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe von Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Veröffentlicht 2015Volltext
Artikel
Suchwerkzeuge:
Ähnliche Schlagworte
ferroelectric
heterojunction
intercalation
гетеропереход
A3B6 semiconductor
CVC
Characterization and properties
FeIn₂Se₄
III-VI semiconductor
InS-film
InSe
ZnO
capacitor
heterostructure
indium selenide
nanocomposite
p-n-InSe
photocapacitor
photoelectric parameters
p–n-InSe
spectral photosensitivity
thin film
ВАХ
гетероструктура
интеркаляция
конденсатор
нанокомпозит
напівпровідник А3В6
оксид цинка
пленка InS