Результати пошуку - Netyaga, V.V.
- Показ 1 - 8 результатів із 8
-
1
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact за авторством Kovalyuk, Z.D., Sydor, O.M., Netyaga, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
2
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen за авторством Kaminskii, V.I., Kovalyuk, Z.D., Netyaga, V.V., Boledzyuk, V.B.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)Отримати повний текст
Стаття -
3
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe за авторством Kovalyuk, Z. D., Konoplyanko, D. Yu., Netyaga, V. V., Bakhtinov, A. P.
Опубліковано 2010Отримати повний текст
Стаття -
4
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы за авторством Kovalyuk, Z. D., Kushnir, O. I., Sidor, O. M., Netyaga, V. V.
Опубліковано 2009Отримати повний текст
Стаття -
5
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Netyaga, V. V., Zaslonkin, V. A.
Опубліковано 2007Отримати повний текст
Стаття -
6
Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis за авторством Kushnir, B.V., Kovalyuk, Z.D., Katerynchuk, V.M., Netyaga, V.V., Tkachuk, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)Отримати повний текст
Стаття -
7
Нетяга В. В., Водоп’янов В. М., Іванов В. І., Ткачук І. Г., Ковалюк З. Д. за авторством Netyaga, V. V., Vodop’yanov, V. N., Ivanov, V. I., Tkachyuk, I. G., Kovalyuk, Z. D.
Опубліковано 2018Отримати повний текст
Стаття -
8
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe за авторством Kovalyuk, Z. D., Katerynchuk, V. M., Kudrynskyi, Z. R., Kushnir, B. V., Netyaga, V. V., Khomyak, V. V.
Опубліковано 2015Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
ferroelectric
heterojunction
intercalation
гетеропереход
A3B6 semiconductor
CVC
Characterization and properties
FeIn₂Se₄
III-VI semiconductor
InS-film
InSe
ZnO
capacitor
heterostructure
indium selenide
nanocomposite
p-n-InSe
photocapacitor
photoelectric parameters
p–n-InSe
spectral photosensitivity
thin film
ВАХ
гетероструктура
интеркаляция
конденсатор
нанокомпозит
напівпровідник А3В6
оксид цинка
пленка InS