Результати пошуку - Opilat, V.
- Показ 1 - 9 результатів із 9
-
1
-
2
Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te за авторством Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals за авторством Hontaruk, O., Konoreva, O., Litovchenko, P., Manzhara, V., Opilat, V., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
5
Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes за авторством Borzakovskyj, A., Gontaruk, O., Kochkin, V., Litovchenko, P., Opilat, V., Petrenko, I., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)Отримати повний текст
Стаття -
6
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing за авторством Zavada, M., Konoreva, O., Lytovchenko, P., Opilat, V., Pinkovska, M., Radkevych, O., Tartachnyk, V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2018)Отримати повний текст
Стаття -
7
-
8
Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes за авторством Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття -
9
Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics за авторством Kanevsky, S.O., Litovchenko, P.G., Opilat, V.Ja., Tartachnyk, V.P., Pinkovs'ka, M.B., Shakhov, O.P., Shapar, V.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)Отримати повний текст
Стаття