Харвестер відкритої науки НАН України

Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method

за авторством Druzhinin, A.A., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.M., Gij, Ya.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers

за авторством Druzhinin, A.A., Ostrovskii, I.P., Kogut, Yu.R., Warchulska, J.K.
Опубліковано в: Functional Materials (2007)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей

за авторством Druzhinin, A. A., Ostrovskii, I. P., Khoverko, Yu. N., Nichkalo, S. I., Berezhanskii, Ye. I.
Опубліковано 2011

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications

за авторством Druzhinin, A.O., Khoverko, Yu.M., Ostrovskii, I.P., Liakh-Kaguy, N.S., Pasynkova, O.A.
Опубліковано в: Технология и конструирование в электронной аппаратуре (2019)

Low temperature characteristics of germanium whiskers

за авторством Druzhinin, A.A., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.N., Liakh-Kaguy, N.S., Vuytsyk, A.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2014)

Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers

за авторством Druzhinin, A.A., Dolgolenko, A.P., Ostrovskii, I.P., Khoverko, Yu.N., Nichkalo, S.I., Kogut, Iu.R.
Опубліковано в: Functional Materials (2014)