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  1. 1
    Concentration and temperature dependences of thermoelectric characteristics of the elastically deformed silicon
    von H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
    Veröffentlicht 2018
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  2. 2
    Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
    von H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
    Veröffentlicht 2017
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  3. 3
    Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2015
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  4. 4
    Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistance and anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2014
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  5. 5
    Influence of the high-temperature annealing on the anisotropy parameters of mobility and the anisotropy of the thermoelectromotive-drag of electrons by phonons in n-Si
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2014
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  6. 6
    Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
    von H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
    Veröffentlicht 2015
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  7. 7
    Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
    von H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
    Veröffentlicht 2017
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  8. 8
    Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2016
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  9. 9
    Influence of Ge isovalent impurity and thermoannealings on the electrophysical properties of silicon crystals
    von H. P. Haidar, P. I. Baranskyi
    Veröffentlicht 2016
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  10. 10
    Physical factors that cause the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2013
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  11. 11
    About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2012
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  12. 12
    Radiation and thermal stability of thin layers, he-terosystems and nanostructures, created on the basis of elementary semiconductors and semiconductor com-pounds
    von P. I. Baranskyi, H. P. Haidar
    Veröffentlicht 2010
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  13. 13
    Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting
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