Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур за авторством Makara, V. A., Odarych, V. A., Kepich, T. Yu., Preobragenskaya, T. D., Rudenko, O. V.

Отримати повний текст

Evidence for photochemical transformations in porous silicon за авторством Shevchenko, V.B., Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Dacenko, O.I., Rudenko, O.V.

Отримати повний текст

Relation between structure inhomogeneities and relaxation processes in excited silicon crystals за авторством Makara, V.A., Kolomiets, A.M., Kolchenko, Yu.L., Naumenko, S.M., Rudenko, O.V., Steblenko, L.P.

Отримати повний текст

Comprehensive studies of defect production and strained states in silicon epitaxial layers and device structures based on them за авторством Boltovets, N.S., Voitsikhovskyi, D.I., Konakova, R.V., Milenin, V.V., Makara, V.A., Rudenko, O.V., Mel’nichenko, M.M.

Отримати повний текст