Харвестер відкритої науки НАН України

Some Steps on the Way of the Formation of Plasma Turbulence Theory

за авторством Silin, V.P.
Опубліковано 2010

Іон-акустична турбулентність у плазмах

за авторством Silin, V.P.
Опубліковано 2012

OPTICAL SENSOR FOR SURFACE PROFILE MONITORING OF PARABOLIC ANTENNA FOR MILLIMETER AND SUBMILLIMETER ASTRONOMY

за авторством Chechetkin, D. L., Belyankin, I. P., Silin, V. V., Slavgorodskiy, S. I., Shulga, V. M.
Опубліковано 2016

Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation

за авторством Starzhinskiy, N.G., Ryzhikov, V.D., Gal’chinetskii, L.P., Nagornaya, L.L., Silin, V.I.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2005)

Energy characteristics of scintillators for X-ray introscop

за авторством Ryzhikov, V., Starzhinskiy, N., Katrunov, K., Grinyov, B., Nekrasov, V., Silin, V., Spasov, V., Galich, Yu., Verbitskiy, O., Zenya, I.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)

Radiation effects in semiconductor scintillators based on zinc selenide

за авторством Ryzhikov, V., Koshkin, V., Starzhinskiy, N., Ibragimova, E., Gafarov, A., Kist, A., Oksengendler, B., Gal’chinetskii, L., Katrunov, K., Galkin, S., Silin, V.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2003)

Crystals Cd₁₋x ZnxTe – a promising material for non-cryogenic semiconductor detectors: preparations, structure defectness and electrophysical properties

за авторством Atroshchenko, L.V., Galkin, S.N., Galchinetskii, L.P., Lalayants, A.I., Rybalka, I.A., Ryzhikov, V.D., Silin, V.I., Starzhinskii, N.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

On proportionality of the light output of semiconductor scintillators under irradiation by alpha-particles and heavy ions

за авторством Ryzhikov, V., Klamra, W., Starzhinskiy, N., Gal’chinetskii, L., Silin, V., Lisetski, L., Danshin, E., Kapusta, M., Szawlowski, M., Katrunov, K., Chernikov, V., Tarasov, V., Balcerzyk, M., Moszyński, M.
Опубліковано в: Вопросы атомной науки и техники (2004)

Doping methods and properties of the solid solutions on AIᴵᴵBⱽᴵ crystals base

за авторством Atroshchenko, L.V., Gal'chinetskii, L.P., Galkin, S.N., Katrunov, K.A., Lalayants, A.I., Lisetskaya, E.K., Rybalka, I.A., Ryzhikov, V.D., Silin, V.I., Starzhinskii, N.G., Voronkin, E.F.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)