Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation

Changes in scintillation and optical properties of semiconductor scintillators (SCS) based on ZnSe(O,Te), ZnSe(Cd), ZnCdS(Te), ZnSSe(Te) and CdWO₄ (CWO) crystals were studied under influence of ionizing radiations: gamma (~1.3 MeV, up to 500 Mrad), protons (~18 MeV, fluence up to 10¹⁶per⋅cm ⁻² ), el...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2005
Hauptverfasser: Starzhinskiy, N.G., Ryzhikov, V.D., Gal’chinetskii, L.P., Nagornaya, L.L., Silin, V.I.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2005
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/80407
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Radiation-induced pocesses in A²B⁶ oxide compounds under proton and gamma-irradiation / N.G. Starzhinskiy, V.D. Ryzhikov, L.P. Gal’chinetskii, L.L. Nagornaya, V.I. Silin // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 3. — С. 43-46. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine