Результати пошуку - Slusar, T. V.
- Показ 1 - 5 результатів із 5
-
1
-
2
-
3
Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells за авторством Korkishko, R.M., Kostylyov, V.P., Prima, N.A., Sachenko, A.V., Serba, O.A., Slusar, T.V., Chernenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
4
Influence of nanostructured ITO films on surface recombination processes in silicon solar cells за авторством Kostylyov, V.P., Sachenko, A.V., Serba, O.A., Slusar, T.V., Vlasyuk, V.M., Tytarenko, P.O., Chernenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2015)Отримати повний текст
Стаття -
5
Рекомбiнацiйнi характеристики пластин монокристалiчного кремнiю з приповерхневим порушеним шаром за авторством Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Litovchenko, V. G., Popov, V. G., Romanyuk, B. M., Chernenko, V. V., Naseka, V. M., Slusar, T. V., Kyrylova, S. I., Komarov, F. F.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
surface recombination
emitter
heat treatments
influence of surface centers
near-surface layer
photosensitive silicon structure
recombination losses
silicon
silicon dioxide layer
silicon solar cells
surface photovoltage
емiтер
кремнiєвi сонячнi елементи
поверхнева рекомбiнацiя
приповерхневий шар
рекомбiнацiйнi втрати
система поверхневих центрiв
термообробки
фоточутлива кремнiєва структура
шар двоокису кремнiю