Харвестер відкритої науки НАН України

Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing

за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

From single SQUID to superconducting quantum arrays

за авторством Kornev, V.K., Kolotinskiy, N.V., Sharafiev, A.V., Soloviev, I.I.
Опубліковано в: Физика низких температур (2017)

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters

за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers

за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)