Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing за авторством Agueev, O.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I.

Отримати повний текст

From single SQUID to superconducting quantum arrays за авторством Kornev, V.K., Kolotinskiy, N.V., Sharafiev, A.V., Soloviev, I.I.

Отримати повний текст

Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Отримати повний текст

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.

Отримати повний текст