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Харвестер відкритої науки НАН України
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Stanchu, G.V.
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X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
von
Safriuk, N.V.
,
Stanchu, G.V.
,
Kuchuk, A.V.
,
Kladko, V.P.
,
Belyaev, A.E.
,
Machulin, V.F.
Veröffentlicht in
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
(2013)
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