Екситоннi характеристики InxGa1-xAs-GaAs гетероструктур з квантовими ямами при низьких температурах von Litovchenko, N. M., Korbutyak, D. V., Strilchuk, O. M.

Volltext

On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra von Glinchuk, K.D., Maslov, V.P., Strilchuk, O.M., Lyapina, A.B.

Volltext