On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
The known and obtained in this work dependences of the 4.2, 77 and 295 K peak positions hνm of the Cd₁₋ₓZnₓTe edge emission bands induced by: (a) annihilation of free X and bound on shallow neutral acceptors A⁰ or shallow neutral donors D⁰ excitons A⁰X and D⁰X and (b) recombination of free and shall...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | On determination of Cd₁₋ₓZnₓTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra / K.D. Glinchuk, V.P. Maslov, O.M. Strilchuk, A.B. Lyapina // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 3. — С. 305-313. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |