Результати пошуку - Stronski, A.
- Показ 1 - 20 результатів із 20
-
1
-
2
Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers за авторством Stronski, A., Vlcek, M., Sklenar, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
3
Optical properties of Ge-As-S thin films за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)Отримати повний текст
Стаття -
4
Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Vlcek, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
5
Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses за авторством Stronski, A.V., Vlček, M., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)Отримати повний текст
Стаття -
6
Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-b... за авторством Moskvin, P.P., Rashkovetskiy, L.V., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
7
Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy за авторством Vlasenko, O.I., Gentsar, P.O., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)Отримати повний текст
Стаття -
8
-
9
-
10
Raman scattering in sulphide glasses за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Pribylova, H., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
11
Image formation properties of As₄₀S₂₀Se₄₀ thin layers in application for gratings fabrication за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Shepeliavyi, P.E., Sklenar, A., Kostyukevich, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
12
-
13
Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Stetsun, A.I., Sklenar, A., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
14
Photoluminescence of As₂S₃ doped with Cr and Yb за авторством Stronski, A.V., Paiuk, O.P., Strelchuk, V.V., Nasieka, Iu.M., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
15
Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification за авторством Kamuz, A.M., Oleksenko, P.F., Kamuz, O.A., Ilin, O.A., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)Отримати повний текст
Стаття -
16
Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering за авторством Zayats, M.S., Boiko, V.G., Gentsar, P.O., Vuichyk, M.V., Lytvyn, O.S., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)Отримати повний текст
Стаття -
17
Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals за авторством Paiuk, A.P., Stronski, A.V., Vuichyk, N.V., Gubanova, A.A., Krys’kov, Ts.A., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
18
Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese за авторством Paiuk, O.P., Revutska, L.O., Stronski, A.V., Gudymenko, A.Yo., Stanchu, H.V., Gubanova, A.A., Kryskov, Ts.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
19
The boson peak and the first sharp diffraction peak in (As₂S₃)ₓ(GeS₂)₁₋ₓ glasses за авторством Stronski, A.V., Kavetskyy, T.S., Revutska, L.O., Kaban, I., Jovari, P., Shportko, K.V., Sergienko, V.P., Popovych, M.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
20
Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Kostyukevych, S.A., Tomchuk, V.M., Kostyukevych, E.V., Svechnikov, S.V., Kudryavtsev, A.A., Moskalenko, N.L., Koptyukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття