Харвестер відкритої науки НАН України

Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers

за авторством Stronski, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Optical properties of Ge-As-S thin films

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers

за авторством Stronski, A., Vlcek, M., Sklenar, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Vlcek, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses

за авторством Stronski, A.V., Vlček, M., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-b...

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovetskiy, L.V., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy

за авторством Vlasenko, O.I., Gentsar, P.O., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2009)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0...

за авторством Gentsar, P.O., Levytskyi, S.M., Stronski, A.V.
Опубліковано 2021

Investigation of nanophase separation in IR optical glasses As₄₀Se₆₀ using resonant Raman scattering

за авторством Mateleshko, N., Mitsa, V., Veres, M., Koos, M., Stronski, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Raman scattering in sulphide glasses

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Pribylova, H., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Nano-sized phase inclusions in As₂S₃ glass, films and fibers based on this glass

за авторством Mateleshko, N., Mitsa, V., Stronski, A., Veres, M., Koos, M., Andriesh, A.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)

Raman spectra of Ag- and Cu- photodoped chalcogenide films

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Stetsun, A.I., Sklenar, A., Shepeliavyi, P.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Image formation properties of As₄₀S₂₀Se₄₀ thin layers in application for gratings fabrication

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Shepeliavyi, P.E., Sklenar, A., Kostyukevich, S.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Photoluminescence of As₂S₃ doped with Cr and Yb

за авторством Stronski, A.V., Paiuk, O.P., Strelchuk, V.V., Nasieka, Iu.M., Vlček, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Optical properties of quantum-sized structures and two-dimensional photon crystals fabricated in semiconductor substrates using irreversible giant modification

за авторством Kamuz, A.M., Oleksenko, P.F., Kamuz, O.A., Ilin, O.A., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering

за авторством Zayats, M.S., Boiko, V.G., Gentsar, P.O., Vuichyk, M.V., Lytvyn, O.S., Stronski, A.V.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

за авторством Paiuk, A.P., Stronski, A.V., Vuichyk, N.V., Gubanova, A.A., Krys’kov, Ts.A., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese

за авторством Paiuk, O.P., Revutska, L.O., Stronski, A.V., Gudymenko, A.Yo., Stanchu, H.V., Gubanova, A.A., Kryskov, Ts.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)

Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements

за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Kostyukevych, S.A., Tomchuk, V.M., Kostyukevych, E.V., Svechnikov, S.V., Kudryavtsev, A.A., Moskalenko, N.L., Koptyukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)