Optical properties of Ge-As-S thin films

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V.
Опубліковано 2009

Fourier Raman spectroscopy studies of the As₄₀S₆₀-xSex glasses

за авторством Stronski, A.V., Vlček, M., Oleksenko, P.F.
Опубліковано 2001

Optical properties and structure of As-Ge-Se thin films

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Vlcek, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Polyassociative thermodynamical model of A²B⁶ semiconductor melt and phase equilibrium in Cd-Hg-Te system: 3. Optimization of the thermodynamical functions of the model and quasi-b...

за авторством Moskvin, P.P., Rashkovetskiy, L.V., Stronski, A.V.
Опубліковано 2005

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0...

за авторством Gentsar, P.O., Levytskyi, S.M., Stronski, A.V.
Опубліковано 2021

Raman scattering in sulphide glasses

за авторством Tolmachov, I.D., Stronski, A.V., Pribylova, H., Vlček, M.
Опубліковано 2010

Photoluminescence of As₂S₃ doped with Cr and Yb

за авторством Stronski, A.V., Paiuk, O.P., Strelchuk, V.V., Nasieka, Iu.M., Vlček, M.
Опубліковано 2014

Optical properties of AlN/n-Si(111) films obtained by method of HF reactive magnetron sputtering

за авторством Zayats, M.S., Boiko, V.G., Gentsar, P.O., Vuichyk, M.V., Lytvyn, O.S., Stronski, A.V.
Опубліковано 2010

Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals

за авторством Paiuk, A.P., Stronski, A.V., Vuichyk, N.V., Gubanova, A.A., Krys’kov, Ts.A., Oleksenko, P.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Structural properties of chalcogenide glasses As₂Se₃ doped with manganese

за авторством Paiuk, O.P., Revutska, L.O., Stronski, A.V., Gudymenko, A.Yo., Stanchu, H.V., Gubanova, A.A., Kryskov, Ts.A.
Опубліковано 2016