Результати пошуку - Sudarshan, T.S.
- Показ 1 - 2 результатів із 2
-
1
Effect of pulse thermal treatments on the Ni(Ti)–n-21R(6H)-SiC contact parameters за авторством Avdeev, S.P., Agueev, O.A., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Milenin, V.V., Sechenov, D.A., Svetlichny, A.M., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття -
2
SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers за авторством Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Milenin, V.V., Lytvyn, O.S., Lytvyn, P.M., Vlaskina, S.I., Agueev, O.A., Svetlichny, A.I., Soloviev, S.I., Sudarshan, T.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2004)Отримати повний текст
Стаття