Результати пошуку - Svechnikov, S.V.
- Показ 1 - 9 результатів із 9
-
1
-
2
Photosensitive porous silicon based structures за авторством Svechnikov, S.V., Kaganovich, E.B., Manoilov, E.G.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
SrTiO₃:Eu³⁺ phosphors prepared by sol-gel synthesis: Structural characterization, magnetic properties and luminescence spectroscopy study за авторством Pusenkova, A.S., Marchylo, О.N., Zavyalova, L.V., Golovina, I.S., Svechnikov, S.V., Snopok, B.А.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
5
Electroreflectance spectroscopy and scanning electron microscopy study of microrelief silicon wafers with various surface pretreatments за авторством Gorbach, T.Ya., Holiney, R.Yu., Matiyuk, I.M., Matveeva, L.A., Svechnikov, S.V., Venger, E.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття -
6
Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique за авторством Volodin, N.M., Zavyalova, L.V., Kirillov, A.I., Svechnikov, S.V., Prokopenko, I.V., Khanova, A.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
7
Photoluminescent films of nanocrystalline silicon doped with metals за авторством Kaganovich, E.B., Kirillova, S.I., Manoilov, E.G., Primachenko, V.E., Svechnikov, S.V., Venger, E.F., Bazylyuk, I.R.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття -
8
Field emission of electrons from laser produced silicon tip arrays за авторством Evtukh, A.A., Kaganovich, E.B., Litovchenko, V.G., Litvin, Yu.M., Fedin, D.V., Manoilov, E.G., Svechnikov, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)Отримати повний текст
Стаття -
9
Study of non-reversible photostructural transformations in As₄₀S₆₀-xSex layers applied for fabrication of holographic protective elements за авторством Stronski, A.V., Vlcek, M., Kostyukevych, S.A., Tomchuk, V.M., Kostyukevych, E.V., Svechnikov, S.V., Kudryavtsev, A.A., Moskalenko, N.L., Koptyukh, A.A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2002)Отримати повний текст
Стаття