Харвестер відкритої науки НАН України

Structural properties, photoelectric and photoluminescent characteristics of nanostructured silicon

за авторством Luchenko, A.I., Melnichenko, M.M., Svezhentsova, K.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Photoelectrical properties of nanoporous silicon

за авторством Luchenko, A.I., Svezhentsova, K.V., Melnichenko, M.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)

Study of nanostructured layers of single-crystal silicon by scanning tunnel spectroscopy

за авторством Kulyk, S.P., Melnichenko, M.M., Svezhentsova, K.V., Shmyryova, O.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)

Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface

за авторством Makara, V.A., Melnichenko, M.M., Svezhentsova, K.V., Khomenkova, L.Yu., Shmyryeva, O.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD

за авторством Vuichyk, M.V., Tsybrii, Z.F., Lavoryk, S.R., Svezhentsova, K.V., Virt, I.S., Chizhov, A.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe

за авторством Tsybrii, Z. F., Andreeva, K. V., Apatska, M. V., Bunchuk, S. G., Vuichyk, M. V., Golenkov, O. G., Dmytruk, N. V., Zabudsky, V. V., Lysiuk, I. O., Svezhentsova, K. V., Smolii, M. I., Sizov, F. F.
Опубліковано 2017