Photoelectrical properties of nanoporous silicon
The optimal composition of etchant solution and etching time for chemical
 treatment to obtain nanoporous Si have been determined. Influence of nanocrystal
 dimensions on the electrophysical and photoelectrical properties of heterojunctions has
 been studied. The current-volt...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2012 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118327 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Photoelectrical properties of nanoporous silicon / A.I. Luchenko, K.V. Svezhentsova, M.M. Melnichenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 298-301. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |