Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes von Tretyak, O.V., Kozonushchenko, O.I., Krivokhizha, K.V., Revenko, A.S.

Volltext

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур von Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.

Volltext

Electrical properties of semiconductor structures with Si nanoclusters in SiO₂ grown by high temperature annealing technology of SiOx layer, X<2 von Bunak, S.V., Buyanin, A.A., Ilchenko, V.V., Marin, V.V., Melnik, V.P., Khacevich, I.M., Tretyak, O.V., Shkavro, A.G.

Volltext