Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2011
• Автори: Bunak, S.V., Ilchenko, V.V., Melnik, V.P., Hatsevych, I.M., Romanyuk, B.N., Shkavro, A.G., Tretyak, O.V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117722
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters / S.V. Bunak, V.V. Ilchenko, V.P. Melnik, I.M. Hatsevych, B.N. Romanyuk, A.G. Shkavro, O.V. Tretyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 241-246. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO₂-( − ncsSi -SiO₂-Si structures grown using high temperature annealing SiOx, x < 2, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO₂-( − ncsSi )-SiO₂-Si structures with the tunnel dielec...