Харвестер відкритої науки НАН України

Calculation of the metal reflectivity with taking polarization into consideration

за авторством Vakulenko, O.V., Severin, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

The influence of non-uniform deformation on photoelectric properties of crystalline silicon

за авторством Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2000)

IR luminescence of ZnSe-based scintillators

за авторством Vakulenko, O.V., Kravchenko, V.M.
Опубліковано в: Functional Materials (2004)

Photovoltage and photocurrent spectroscopy of luminescent porous silicon

за авторством Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2003)

Photoresponse in Ge/Si nanostructures with quantum dots

за авторством Nikolenko, A.S., Kondratenko, S.V., Vakulenko, O.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2006)

Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon

за авторством Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V., Shutov, B.M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Spectral dependence of the photomagnetic effect in porous silicon

за авторством Vakulenko, O.V., Kondratenko, S.V., Serdega, B.K.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2001)

Деградація люмінесценції хлорофілу в рослинах

за авторством Vakulenko, O.V., Grygorieva, O.O., Dacenko, O.I.
Опубліковано 2012

Amphoteric center of luminescence in CdS

за авторством Artem'jeva, O. O., Vakulenko, O. V., Dacenko, O. I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)

Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment

за авторством Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Shevchenko, V.B., Dacenko, O.I.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)

Influence of ion implantation on the near-surface structure of thin Ni and Pd films on lithium niobate and lithium tantalate

за авторством Lysiuk, V.O., Staschuk, V.S., Kluy, M.I., Vakulenko, O.V., Poperenko, L.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2007)

Evidence for photochemical transformations in porous silicon

за авторством Shevchenko, V.B., Makara, V.A., Vakulenko, O.V., Dacenko, O.I., Rudenko, O.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0,4Ga0,6As/GaAs з квантовими точками...

за авторством Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Gryn, I.A., Strelchuk, V.V.
Опубліковано 2022

Вплив дефектних станів інтерфейсу на фотоелектричні властивості гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs з квантовими точками...

за авторством Vakulenko, O.V., Golovynskyi, S.L., Kondratenko, S.V., Mazur, Yu.I., Wang, Zh.M., Salamo, G.J.
Опубліковано 2022

Quantum effects in multilayer Si-Ge nanoheterostructures

за авторством Kozyrev, Yu.N., Rubezhanska, M.Yu., Sushyі, A.V., Kondratenko, S.V., Vakulenko, O.V., Dadykin, A.A., Naumovets, A.G.
Опубліковано в: Поверхность (2008)

Formation of blisters in thin metal films on lithium niobate implanted by keV Ar⁺ ions

за авторством Lysiuk, V.O., Moskalenko, N.L., Staschuk, V.S., Kluy, M.I., Vakulenko, O.V., Androsyuk, I.G., Surmach, M.A., Pogoda, V.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)

Михайло Павлович Лисиця (до 100-річчя від дня на-родження)

за авторством Belyaev, O.Ye., Blons’kyi, I.V., Brodyn, M.S., Vakulenko, O.V., Valakh, M.Ya., Kochelap, V.O., Poperenko, L.V., Rudko, G.Yu., Syzov, F.F., Tarasov, G.G., Yukhymchuk, V.O.
Опубліковано 2021