Результати пошуку - Vertegel, I. G.
- Показ 1 - 11 результатів із 11
-
1
NMR study of proton dynamics in ferroelectric KIO₃*2HIO₃ crystal за авторством Baisa, D.F., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, A.I., Vertegel, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)Отримати повний текст
Стаття -
2
NMR and NQR investigation of the lattice dynamics in (CH₃)₂CHNH₃CdBr₃ за авторством Chesnokov, Eu.D., Chapla, Z., Ovcharenko, A.I., Pogrebnyak, S.V., Vertegel, I.G.
Опубліковано в: Functional Materials (2005)Отримати повний текст
Стаття -
3
Symmetry peculiarities of the intracrystalline fields layered semiconductor crystals (PbI₂)₍₁₋ₓ₎(BiI₃)ₓ за авторством Barabash, O.I., Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, O.I., Ivanova, L.S.
Опубліковано в: Functional Materials (2012)Отримати повний текст
Стаття -
4
Вплив протонування нiобату лiтiю на механiзми ЯМР релаксацiї ядер 7Li за авторством Ovcharenko, A. I., Chesnokov, E. D., Vertegel, I. G., Ivanova, L. S., Gnatenko, Yu. P.
Опубліковано 2019
Отримати повний текст
Стаття -
5
Investigation of hydrogen bond dynamics in NH₄IO₃·2HIO₃ crystal by NQR за авторством Baisa, D.F., Barabash, A.I., Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, A.I.
Опубліковано в: Functional Materials (2006)Отримати повний текст
Стаття -
6
-
7
I¹²⁷ NQR spectra of Pb₁₋ₓCdₓI₂ and (BiI₃)₍₁₋ₓ₎(PbI₂)ₓ of mixed layered semiconductors за авторством Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, O.I., Ivanova, L.S., Gnatenko, Yu.P., Vertegel, I.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2017)Отримати повний текст
Стаття -
8
-
9
NQR investigation of crystal structure peculiarities of layered Pbₓ₋₁Cdₓl₂ semiconductors за авторством Gnatenko, Yu.P., Beinik, I.A., Barabash, A.I., Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, A.I., Ivanova, L.S.
Опубліковано в: Functional Materials (2008)Отримати повний текст
Стаття -
10
Investigations on temperature dependences of parameters of ¹²⁷I NQR spectrum of (BiI₃)(₁₋ₓ)(PbI₂)ₓ mixed layered semiconductor and alkaline halogens crystals за авторством Vertegel, I.G., Chesnokov, E.D., Ovcharenko, O.I., Vertegel, I.I., Ivanov, O.S., Gnatenko, Yu.P., Ponkratenko, O.A.
Опубліковано в: Functional Materials (2017)Отримати повний текст
Стаття -
11
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
Characterization and properties
-
band gap
defects
kinetics
method of nuclear magnetic resonance
nanostructured films
phase state
photoluminescence
proton exchange
relaxation
дефекти
заборонена зона
кiнетика
метод ЯМР-спектроскопiї
наноструктурованi плiвки
протонування
релаксацiя
фазовий стан
фотолюмiнесценцiя