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Харвестер відкритої науки НАН України
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Yu. M. Shwarts
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1
New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
von
V. L. Borblik
,
Yu. M. Shwarts
,
M. M. Shwarts
,
A. B. Aleinikov
Veröffentlicht 2017
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2
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
von
V. L. Borblik
,
I. A. Rudnev
,
Yu. M. Shwarts
,
M. M. Shwarts
Veröffentlicht 2011
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3
Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
von
A. B. Aleinikov
,
V. A. Berezovets
,
V. L. Borblik
,
M. M. Shwarts
,
Yu. M. Shwarts
Veröffentlicht 2012
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4
Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
von
O. M. Ivashchenko
,
Yu. M. Shwarts
,
M. M. Shwarts
,
D. P. Kopko
,
N. I. Sypko
Veröffentlicht 2010
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5
Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
von
O. M. Ivashchenko
,
Yu. M. Shwarts
,
M. M. Shwarts
,
D. P. Kopko
,
M. I. Sypko
Veröffentlicht 2011
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6
Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
von
V. L. Borblik
,
A. A. Korchevoi
,
A. S. Nikolenko
,
V. V. Strelchuk
,
A. M. Fonkich
,
Yu. M. Shwarts
,
M. M. Shwarts
Veröffentlicht 2014
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