Харвестер відкритої науки НАН України

Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах

за авторством Zinovchuk, A.V., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2025

Вплив невпорядкованої атомної структури на швидкість оже-рекомбінації в InGaN сполуках p-типу

за авторством Zinovchuk, A. V., Sevost’yanov, E. A.
Опубліковано 2020

Флуктуації п’єзоелектричної поляризації в квантових ямах на основі III-нітридів

за авторством Zinovchuk, A.V., Stepanchikov, D.A., Vasylieva, R.Yu., Slipokurov, V.S.
Опубліковано 2023

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

за авторством Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)